RF FET，MOSFET

结果 : 4
包装
散装管件
频率
27.12MHz40.68MHz65MHz
增益
15dB16dB17dB
电压 - 测试
50 V150 V250 V300 V
额定电流（安培）
25µA6A13A30A
功率 - 输出
150W750W
电压 - 额定
1000 V1200 V
封装/外壳
T-1TO-247-3TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
T-1TO-247TO-264
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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/ 4
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
功率 - 输出
电压 - 额定
封装/外壳
供应商器件封装
ARFxxxxx
ARF461BG
RF MOSFET 50V TO247
Microchip Technology
41
现货
1 : ¥486.18000
散装
-
散装
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
65MHz
15dB
50 V
25µA
-
150W
1000 V
TO-247-3
TO-247
ARFxxxxx
ARF465AG
RF MOSFET 300V TO247
Microchip Technology
48
现货
1 : ¥507.53000
散装
-
散装
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
40.68MHz
15dB
300 V
6A
-
150W
1200 V
TO-247-3
TO-247
ARF1501
ARF1501
RF MOSFET 250V T-1
Microchip Technology
6
现货
1 : ¥2,672.54000
管件
-
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
27.12MHz
17dB
250 V
30A
-
750W
1000 V
T-1
T-1
ARF466xG Series
ARF466BG
RF MOSFET 150V TO264
Microchip Technology
0
现货
查看交期
25 : ¥537.74200
管件
-
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
40.68MHz
16dB
150 V
13A
-
150W
1000 V
TO-264-3，TO-264AA
TO-264
显示
/ 4

RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。