单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）600mA（Ta）630mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.75V，5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V480 毫欧 @ 600mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V2.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V60.67 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）350mW（Ta）
供应商器件封装
SC-70-3SOT-23-3SOT-523
封装/外壳
SC-70，SOT-323SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
340,931
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
114,921
现货
849,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48378
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SI1302DL-T1-GE3
SI1302DL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Vishay Siliconix
24,882
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
600mA（Ta）
4.5V，10V
480 毫欧 @ 600mA，10V
3V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
-
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。