单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
SIPMOS®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）9.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 4A，4.5V250 毫欧 @ 6.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 30 V450 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3SOT-23F
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
SPD09P06PLGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Infineon Technologies
10,823
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.02883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.7A（Tc）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 6.8A，10V
2V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
10,421
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62274
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
55 毫欧 @ 4A，4.5V
-
-
±12V
190 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。