单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）370A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.67 毫欧 @ 50A，10V199 毫欧 @ 9.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V81 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1520 pF @ 100 V12168 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
139W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TO220-3
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C404NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥32.35000
剪切带（CT）
1,500 : ¥16.70701
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
370A（Tc）
4.5V，10V
0.67 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
81 nC @ 4.5 V
±20V
12168 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-220-3
IPP60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Infineon Technologies
407
现货
1 : ¥32.76000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
16A（Tc）
10V
199 毫欧 @ 9.9A，10V
3.5V @ 660µA
43 nC @ 10 V
±20V
1520 pF @ 100 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。