单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
FemtoFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，8V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 100A，10V1190 毫欧 @ 100mA，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.35V @ 2.5µA3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.281 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10.5 pF @ 10 V16250 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
3-PICOSTARPG-HSOG-8-1
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerSMD，鸥翼
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
37,745
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52672
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
2.8V，8V
1190 毫欧 @ 100mA，8V
1.35V @ 2.5µA
0.281 nC @ 10 V
10V
10.5 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
3,314
现货
1 : ¥50.41000
剪切带（CT）
1,800 : ¥26.05753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD，鸥翼
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。