单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）10.5A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.5 毫欧 @ 4A，10V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7 nC @ 2.5 V13.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
529 pF @ 10 V540 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.7W（Ta），31.2W（Tc）
供应商器件封装
PG-SOT23PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
528,270
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SIR4606DP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
10,235
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.10293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.5A（Ta），16A（Tc）
7.5V，10V
18.5 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
13.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
3.7W（Ta），31.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。