单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-CoolMOS™SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA(Ta)2.5A(Ta)17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 2.5A,10V280 毫欧 @ 7.2A,10V500 欧姆 @ 16mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA2.7V @ 8µA3.5V @ 360µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.1 nC @ 5 V10 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28 pF @ 25 V785 pF @ 30 V1200 pF @ 500 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)1.25W(Ta)101W(Tc)
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TO252-3SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Infineon Technologies
7,079
现货
1 : ¥22.74000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.08376
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
17A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 7.2A,10V
3.5V @ 360µA
36 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 500 V
-
101W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
BSS126H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
6,818
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05125
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
21mA(Ta)
0V,10V
500 欧姆 @ 16mA,10V
2.7V @ 8µA
2.1 nC @ 5 V
±20V
28 pF @ 25 V
耗尽模式
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
PJA3463_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86425
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.5A(Ta)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 2.5A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。