FET、MOSFET 阵列

结果 : 14
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产最后售卖在售
配置
2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A,3A4.1A,3.4A6A(Ta),6.5A(Ta)6.4A,4.5A6.5A,4.2A6.6A,5.3A6.6A,6.8A7A(Ta),4.5A(Ta)8A8.5A(Ta)8.6A,7.3A9A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 8.6A,10V19 毫欧 @ 8A,10V19.4 毫欧 @ 8.5A,10V,16.8 毫欧 @ 8.5A,10V20 毫欧 @ 7.4A,10V24 毫欧 @ 6.8A,10V25mOhm @ 7A,10V,56mOhm @ 4.5A,10V26 毫欧 @ 6.4A,10V28 毫欧 @ 6A,10V29 毫欧 @ 5.8A,10V29 毫欧 @ 6A,4.5V30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6.5A, 10V50 毫欧 @ 2.4A,10V50 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.8V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6nC @ 10V,16nC @ 10V8.4nC @ 5V,8.5nC @ 5V9.8nC @ 10V10.5nC @ 10V10.6nC @ 20V,51nC @ 20V12nC @ 10V12.2nC @ 10V20nC @ 10V24nC @ 10V25nC @ 4.5V27nC @ 4.5V33nC @ 10V39nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
310pF @ 15V,760pF @ 15V472pF @ 15V501pF @ 15V520pF @ 15V530pF @ 20V,2870pF @ 20V540pF @ 15V600pF @ 10V,850pF @ 10V600pF @ 25V650pF @ 25V690pF @ 20V900pF @ 15V1205pF @ 15V2600pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW1.2W1.25W1.4W1.8W2W2W(Ta)2.5W3.1W,3.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
23,773
现货
745,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.24601
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A,4.2A
20 毫欧 @ 7.4A,10V
2V @ 250µA
9.8nC @ 10V
501pF @ 15V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7309TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Infineon Technologies
13,463
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.83856
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
4A,3A
50 毫欧 @ 2.4A,10V
1V @ 250µA
25nC @ 4.5V
520pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
108,848
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.77665
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
9A
19 毫欧 @ 8A,10V
2.8V @ 250µA
39nC @ 10V
2600pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
FDS8858CZ
MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
onsemi
49,736
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.14868
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.6A,7.3A
17 毫欧 @ 8.6A,10V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1205pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
4,672
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.51312
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
-
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
20,977
现货
1 : ¥9.77000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.04700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
-
29 毫欧 @ 5.8A,10V
1V @ 250µA
33nC @ 10V
650pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
SI4554DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
5,704
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.36309
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
8A
24 毫欧 @ 6.8A,10V
2.2V @ 250µA
20nC @ 10V
690pF @ 20V
3.1W,3.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8 SO
ZXMC3A17DN8TA
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Diodes Incorporated
6,351
现货
12,000
工厂
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
500 : ¥4.21032
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
4.1A,3.4A
50 毫欧 @ 7.8A,10V
1V @ 250µA(最小)
12.2nC @ 10V
600pF @ 25V
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
8-SOIC
SH8MB5TB1
MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
8,432
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.87784
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
40V
8.5A(Ta)
19.4 毫欧 @ 8.5A,10V,16.8 毫欧 @ 8.5A,10V
2.5V @ 1mA
10.6nC @ 20V,51nC @ 20V
530pF @ 20V,2870pF @ 20V
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
8-SOIC
FDS8958B
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
onsemi
23,689
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.76365
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.4A,4.5A
26 毫欧 @ 6.4A,10V
3V @ 250µA
12nC @ 10V
540pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
SP8M10FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,156
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4V 驱动
30V
7A(Ta),4.5A(Ta)
25mOhm @ 7A,10V,56mOhm @ 4.5A,10V
2.5V @ 1mA
8.4nC @ 5V,8.5nC @ 5V
600pF @ 10V,850pF @ 10V
2W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
8 SO
DMC3028LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Diodes Incorporated
447
现货
67,500
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.49522
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.6A,6.8A
28 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
472pF @ 15V
1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
MOSFET N/P-CH 30V 6A/6.5A 8SOIC
AO4606
MOSFET N/P-CH 30V 6A/6.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.36231
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
30V
6A(Ta),6.5A(Ta)
30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6.5A, 10V
2.4V @ 250µA
6nC @ 10V,16nC @ 10V
310pF @ 15V,760pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IRF7317TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥3.69873
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
6.6A,5.3A
29 毫欧 @ 6A,4.5V
700mV @ 250µA
27nC @ 4.5V
900pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
显示
/ 14

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。