单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS®-P2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)115mA(Ta)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.1 毫欧 @ 90A,10V3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA2V @ 250µA2V @ 253µA
Vgs(最大值)
+5V,-16V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 10 V50 pF @ 25 V11300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)137W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO252-3-11SOT-523VMT3
封装/外壳
SOT-523SOT-723TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
2N7002T-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
107,791
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57291
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
TO252-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
7,174
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.95796
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
90A(Tc)
-
4.1 毫欧 @ 90A,10V
2V @ 253µA
160 nC @ 10 V
+5V,-16V
11300 pF @ 25 V
-
137W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
234,931
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。