单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
NexFET™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 100A，6V4.1 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 10 V76 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6300 pF @ 50 V7820 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），67W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）TO-220-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5,379
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.49934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
70A（Tc）
4.5V，10V
4.1 毫欧 @ 35A，10V
2.5V @ 1mA
75 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），67W（Tc）
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
TO-220-3
CSD19505KCS
MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Texas Instruments
615
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
150A（Ta）
6V，10V
3.8 毫欧 @ 100A，6V
3.2V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。