单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™SIPMOS®SuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Ta），100A（Tc）75A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V23 毫欧 @ 37.5A，10V23 毫欧 @ 64A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 49µA4V @ 5.5mA4.5V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
85 nC @ 10 V173 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5033 pF @ 25 V6800 pF @ 20 V7160 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），83W（Tc）340W（Tc）595W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TO220-3-1TO-247-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC027N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
50,554
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.90897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 49µA
85 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-220-3
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Infineon Technologies
2,104
现货
1 : ¥29.97000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 5.5mA
173 nC @ 10 V
±20V
5033 pF @ 25 V
-
340W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-247-3
FCH023N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
onsemi
10,178
现货
1 : ¥174.87000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
75A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 37.5A，10V
4.5V @ 7.5mA
222 nC @ 10 V
±30V
7160 pF @ 400 V
-
595W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。