单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta），3.6A（Tc）8A（Tc）32A（Ta），169A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 20A，10V26.3 毫欧 @ 4A，10V75 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.4 nC @ 10 V19 nC @ 10 V66 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 25 V650 pF @ 20 V4960 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta），1.7W（Tc）3W（Tc）3.6W（Ta），96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PQFN（5x6）SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-TQFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
28,780
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.7A（Ta），3.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 2.7A，10V
2.5V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PowerPQFN
IRFH8311TRPBF
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Infineon Technologies
46,714
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.50661
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
32A（Ta），169A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 100µA
66 nC @ 10 V
±20V
4960 pF @ 10 V
-
3.6W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PQFN（5x6）
8-TQFN 裸露焊盘
SOT-23-3
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.45300
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Tc）
4.5V，10V
26.3 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。