单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
QorvoTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-ENexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
100 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）51A（Tc）65A（Tc）85A（Tc）150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 100A，10V35 毫欧 @ 40A，12V35 毫欧 @ 50A，12V50 毫欧 @ 23A，10V100 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA5V @ 250µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 15 V101 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 100 V3459 pF @ 100 V7930 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
190W（Tc）242W（Tc）278W（Tc）300W（Tc）441W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220-3TO-220ABTO-247-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3L
UJ3C065030K3S
MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Qorvo
4,924
现货
1 : ¥148.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
85A（Tc）
12V
35 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
441W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
D2PAK-3L
UF3C065030B3
MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Qorvo
4,390
现货
1 : ¥150.24000
剪切带（CT）
800 : ¥88.56326
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
650 V
65A（Tc）
12V
35 毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
242W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
CSD19535KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Texas Instruments
468
现货
1 : ¥26.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150A（Ta）
6V，10V
3.6 毫欧 @ 100A，10V
3.4V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±20V
7930 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3L
UF3C065080T3S
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Qorvo
7,554
现货
1 : ¥61.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
31A（Tc）
12V
100 毫欧 @ 20A，12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Vishay Siliconix
936
现货
1 : ¥73.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
51A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 23A，10V
5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±30V
3459 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。