单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 4.5A，10V85 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 15µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 5 V5.6 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 10 V657 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSOP6-6TSMT3
封装/外壳
SC-96SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,581
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03234
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4V，10V
85 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±20V
380 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
SC-74, SOT-457
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
790
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.73063
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.5A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 4.5A，10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。