单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）9.8A（Ta），27A（Tc）12A（Tc）13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 20A，10V21 毫欧 @ 10A，10V21 毫欧 @ 5A，10V450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 16µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V14.9 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
42 pF @ 16 V410 pF @ 25 V1009 pF @ 15 V1550 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）860mW（Ta）3.5W（Ta），19W（Tc）3.8W（Ta），28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK4（5x6）PowerPAK® SC-70-6SOT-323U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘PowerPAK® SC-70-6SC-70，SOT-323SOT-1023，4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
76,363
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 5A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT 1023
NVMYS021N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
onsemi
2,990
现货
3,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.85677
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.8A（Ta），27A（Tc）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 16µA
5 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK4（5x6）
SOT-1023，4-LFPAK
SOT-323
DMN2710UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
3,000
现货
126,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43564
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±6V
42 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
U-DFN2020-6 Type F
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
2,953
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.31253
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
14.9 nC @ 10 V
±20V
1009 pF @ 15 V
-
860mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。