单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyWolfspeed, Inc.
系列
-C2M™C3M™CoolSiC™G3R™
包装
散装管件
技术
SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V1700 V2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）48A（Tc）59A（Tc）61A（Tc）68A（Tc）72A（Tc）89A（Tc）115A（Tc）123A（Tc）124A（Tc）225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V15V，18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.9 毫欧 @ 108A，18V16.5 毫欧 @ 60A，18V22.3 毫欧 @ 75A，15V26 毫欧 @ 75A，15V33 毫欧 @ 40A，18V45 毫欧 @ 30A，20V58 毫欧 @ 40A，15V64 毫欧 @ 20A，18V70 毫欧 @ 50A，20V208 毫欧 @ 12A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 15mA2.7V @ 5mA2.7V @ 8mA3.25V @ 2.5mA（典型值）3.6V @ 23mA4V @ 18mA5.2V @ 47mA5.5V @ 12.1mA5.5V @ 24mA5.5V @ 48mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 15 V82 nC @ 18 V137 nC @ 18 V178 nC @ 20 V182 nC @ 15 V188 nC @ 20 V207 nC @ 15 V246 nC @ 18 V289 nC @ 18 V400 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V±15V+20V，-5V+20V，-7V+23V，-10V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1272 pF @ 1000 V3300 pF @ 1000 V3672 pF @ 1000 V4523 pF @ 1000 V6085 pF @ 1000 V9170 pF @ 800 V10187 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
175W（Tc）278W（Tc）348W（Tc）370W（Tc）438W（Tc）520W（Tc）552W（Tc）556W（Tc）576W（Tc）750W（Tc）809W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D3PAKPG-TO247-4-8PG-TO247-4-U04TO-247-3TO-247-4
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
791
现货
1 : ¥100.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
21A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 12A，15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
991
现货
1 : ¥268.71000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
61A（Tc）
15V
58 毫欧 @ 40A，15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
779
现货
1 : ¥271.50000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
61A（Tc）
15V
58 毫欧 @ 40A，15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
177
现货
1 : ¥328.31000
管件
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
2000 V
48A（Tc）
15V，18V
64 毫欧 @ 20A，18V
5.5V @ 12.1mA
82 nC @ 18 V
+20V，-7V
-
-
348W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
219
现货
1 : ¥481.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
2000 V
89A（Tc）
15V，18V
33 毫欧 @ 40A，18V
5.5V @ 24mA
137 nC @ 18 V
+20V，-7V
-
-
576W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
148
现货
1 : ¥488.81000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
225A（Tc）
15V，18V
9.9 毫欧 @ 108A，18V
5.2V @ 47mA
289 nC @ 18 V
+20V，-5V
9170 pF @ 800 V
-
750W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
C2D10120D
C3M0016120D
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,407
现货
1 : ¥597.59000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
115A（Tc）
15V
22.3 毫欧 @ 75A，15V
3.6V @ 23mA
207 nC @ 15 V
+15V，-4V
6085 pF @ 1000 V
-
556W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,053
现货
1 : ¥880.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
124A（Tc）
15V
26 毫欧 @ 75A，15V
2.7V @ 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
809W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
216
现货
1 : ¥939.28000
管件
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
2000 V
123A（Tc）
15V，18V
16.5 毫欧 @ 60A，18V
5.5V @ 48mA
246 nC @ 18 V
+20V，-7V
-
-
552W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
C2D10120D
C2M0045170D
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
445
现货
1 : ¥963.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
72A（Tc）
20V
70 毫欧 @ 50A，20V
4V @ 18mA
188 nC @ 20 V
+25V，-10V
3672 pF @ 1000 V
-
520W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
MSC035SMA170B4
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Microchip Technology
15
现货
1 : ¥343.17000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
68A（Tc）
20V
45 毫欧 @ 30A，20V
3.25V @ 2.5mA（典型值）
178 nC @ 20 V
+23V，-10V
3300 pF @ 1000 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
D3PAK
MSC035SMA170S
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Microchip Technology
25
现货
1 : ¥340.71000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
59A（Tc）
20V
45 毫欧 @ 30A，20V
3.25V @ 2.5mA（典型值）
178 nC @ 20 V
+23V，-10V
3300 pF @ 1000 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。