单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140mA（Ta）850mA（Tc）4.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 3.7A，10V1.35 欧姆 @ 425mA，10V8 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 5 V35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）2.2W（Tc）
供应商器件封装
SC-75ASOT-223-4SOT-23
封装/外壳
SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2371EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Vishay Siliconix
12,430
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74211
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.8A（Tc）
2.5V，10V
45 毫欧 @ 3.7A，10V
1.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±12V
-
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-4
FQT4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
onsemi
6,946
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.45182
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
850mA（Tc）
5V，10V
1.35 欧姆 @ 425mA，10V
2V @ 250µA
5.2 nC @ 5 V
±20V
310 pF @ 25 V
-
2.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
Pkg 5868
SI1031R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Vishay Siliconix
11,890
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
140mA（Ta）
1.5V，4.5V
8 欧姆 @ 150mA，4.5V
1.2V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75A
SC-75，SOT-416
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。