单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）56A（Tc）87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.3V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 44A，10V16 毫欧 @ 28A，10V60 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA4.6V @ 107µA4.6V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4.5 V23.1 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
278 pF @ 15 V1820 pF @ 75 V3230 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta）96W（Tc）139W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
1,171
现货
1 : ¥27.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.77754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
87A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 44A，10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-323
DMN3061SWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
10,455
现货
80,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.53037
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.7A（Ta）
3.3V，10V
60 毫欧 @ 3.1A，10V
1.8V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±20V
278 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
2,788
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
4,000 : ¥10.36693
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
56A（Tc）
8V，10V
16 毫欧 @ 28A，10V
4.6V @ 60µA
23.1 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。