单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyToshiba Semiconductor and Storage
系列
-SIPMOS®π-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V240 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
134mA（Tj）190mA（Ta）400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，10V3V，4.5V3.3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
700毫欧 @ 200MA，10V12 欧姆 @ 190mA，10V15 欧姆 @ 120mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 100µA2V @ 130µA2V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V50 pF @ 25 V104 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）360mW（Tc）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
PG-SOT89TO-236AB（SOT23）USM
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB (SOT23)
TN2124K1-G
MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Microchip Technology
5,641
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.25411
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
134mA（Tj）
3V，4.5V
15 欧姆 @ 120mA，4.5V
2V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
360mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB（SOT23）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
70,931
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54092
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Ta）
3.3V，10V
700毫欧 @ 200MA，10V
1.8V @ 100µA
-
±20V
20 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
SOT-89 Pkg
BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
1,296
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.30219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
190mA（Ta）
2.8V，10V
12 欧姆 @ 190mA，10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。