单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta）26A（Ta），60A（Tc）60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 15A，10V4.7 毫欧 @ 20A，10V4.9 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V83 nC @ 10 V112 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-12V+16V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2496 pF @ 10 V3490 pF @ 15 V4450 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），37W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）65.7W（Tc）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
7,421
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.12556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
112 nC @ 10 V
+16V，-20V
3490 pF @ 15 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA32DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,362
现货
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.46911
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.2 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
83 nC @ 10 V
+16V，-12V
4450 pF @ 10 V
-
65.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
IRFHM8326TRPBF
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Infineon Technologies
7,466
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.88228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19A（Ta）
4.5V，10V
4.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 50µA
39 nC @ 10 V
±20V
2496 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
-
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。