单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-CoolMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.1A（Tc）19.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 9A，10V400毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
710 pF @ 100 V1931 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）118W（Tc）
供应商器件封装
8-SOPG-TO252-3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMP3036SSS-13
MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
Diodes Incorporated
9,160
现货
65,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.23911
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19.5A（Tc）
5V，10V
20 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±25V
1931 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO252-3
IPD65R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Infineon Technologies
81,774
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.73283
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
15.1A（Tc）
10V
400毫欧 @ 3.2A，10V
3.5V @ 320µA
39 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
118W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。