单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 80A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 10 V69 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
38 pF @ 25 V3240 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta）300W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-HPSOFSOT-323
封装/外壳
8-PowerSFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
108,256
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65944
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
210mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-HPSOF Top View
FDBL86066-F085
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
onsemi
4,252
现货
1 : ¥28.82000
剪切带（CT）
2,000 : ¥14.04029
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
185A（Tc）
10V
4.1 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 50 V
-
300W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。