单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.5A(Tc)90A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.6 毫欧 @ 90A,10V43 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 90µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23.5 nC @ 10 V98 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
870 pF @ 15 V6250 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
4W(Tc)136W(Tc)
供应商器件封装
6-TSOPPG-TO252-3-313
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD90N10S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Infineon Technologies
4,783
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.91767
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 90A,10V
2.1V @ 90µA
98 nC @ 10 V
±16V
6250 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SQ3481EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Vishay Siliconix
3,373
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.5A(Tc)
4.5V,10V
43 毫欧 @ 5.3A,10V
2.5V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 15 V
-
4W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。