单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™
漏源电压（Vdss）
500 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22.4A（Tc）26A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
145 毫欧 @ 12A，10V150 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 900µA
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1980 pF @ 100 V2340 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
195.3W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,988
现货
1 : ¥25.37000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
26A（Tc）
10V
145 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±30V
1980 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IPP65R150CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Infineon Technologies
479
现货
1 : ¥35.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
22.4A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 9.3A，10V
4.5V @ 900µA
86 nC @ 10 V
±20V
2340 pF @ 100 V
-
195.3W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。