单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolSiC™DTMOSIVPolar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
800 V1200 V4500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）17A（Ta）56A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 25A，18V290 毫欧 @ 8.5A，10V75 欧姆 @ 500mA，10V750 欧姆 @ 10mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA4V @ 850µA5.7V @ 11.5mA6.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.7 nC @ 10 V10.4 nC @ 10 V32 nC @ 10 V63 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+18V，-15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
104 pF @ 25 V256 pF @ 25 V2050 pF @ 300 V2290 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
33W（Tc）45W（Tc）113W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO263-7-12TO-220SISTO-252AATO-268AA
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CATO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-268
IXTT02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Littelfuse Inc.
2,365
现货
1 : ¥262.14000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
4500 V
200mA（Tc）
10V
750 欧姆 @ 10mA，10V
6.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
256 pF @ 25 V
-
113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-252-3
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Littelfuse Inc.
17,887
现货
2,170
工厂
1 : ¥13.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
200mA（Tc）
10V
75 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 100µA
4.7 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R030M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Infineon Technologies
683
现货
1 : ¥134.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥85.04528
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
56A（Tc）
-
41 毫欧 @ 25A，18V
5.7V @ 11.5mA
63 nC @ 18 V
+18V，-15V
2290 pF @ 800 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
94
现货
1 : ¥38.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17A（Ta）
10V
290 毫欧 @ 8.5A，10V
4V @ 850µA
32 nC @ 10 V
±20V
2050 pF @ 300 V
-
45W（Tc）
150°C
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。