单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.15A（Ta）3A（Ta）6.2A（Ta）9.6A（Ta）28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 12A，10V22 毫欧 @ 10.3A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V90 毫欧 @ 5.2A，10V250 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V27 nC @ 10 V57 nC @ 10 V135 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4600 pF @ 50 V4700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
730mW（Ta）1.8W（Ta）1.9W（Ta）5.2W（Ta），83.3W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7850DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,986
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.11872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.2A（Ta）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 10.3A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
48,049
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7439DP-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,345
现货
1 : ¥31.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥15.29607
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Ta）
6V，10V
90 毫欧 @ 5.2A，10V
4V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Vishay Siliconix
7,519
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.58532
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.15A（Ta）
10V
250 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
-
-
730mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7370DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,479
现货
1 : ¥16.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.15963
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.6A（Ta）
10V
11 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
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1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。