单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET®, WFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A（Ta）8.9A（Ta）11.4A（Tc）11.6A（Ta）12.5A（Ta）13A（Ta）13.6A（Ta）18A（Tc）18.2A（Tc）19.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.9 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 12.5A，10V9.1 毫欧 @ 13A，10V9.4 毫欧 @ 15A，10V9.5 毫欧 @ 12.5A，10V9.5 毫欧 @ 13.8A，10V10 毫欧 @ 11.6A，10V10 毫欧 @ 13A，10V11 毫欧 @ 12A，10V16.5 毫欧 @ 10A，10V24 毫欧 @ 9.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA（最小）2.25V @ 25µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 4.5 V23 nC @ 5 V26 nC @ 10 V30 nC @ 10 V38 nC @ 10 V41 nC @ 10 V50 nC @ 10 V63 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+30V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1010 pF @ 15 V1155 pF @ 15 V1210 pF @ 15 V1220 pF @ 15 V1235 pF @ 15 V1350 pF @ 15 V1580 pF @ 15 V1620 pF @ 15 V2659 pF @ 20 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）1.9W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）3W（Ta），5.2W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOICPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
53,901
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Vishay Siliconix
23,635
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.24502
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.4A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 9.1A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS8880
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
onsemi
20,019
现货
7,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.49670
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.6A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 11.6A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS6680A
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
onsemi
8,314
现货
15,000
工厂
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.04692
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12.5A（Ta）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 12.5A，10V
3V @ 250µA
23 nC @ 5 V
±20V
1620 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7413ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Infineon Technologies
7,146
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.84055
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 13A，10V
2.25V @ 25µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPAK SO-8
SI7852DP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,836
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.90310
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
16.5 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA（最小）
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI4162DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Vishay Siliconix
27,178
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.46294
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
19.3A（Tc）
4.5V，10V
7.9 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1155 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7821TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Infineon Technologies
12,186
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.52117
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.6A（Ta）
4.5V，10V
9.1 毫欧 @ 13A，10V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1010 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4894BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Vishay Siliconix
11,208
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.89966
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.9A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4686DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Vishay Siliconix
6,279
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.09330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18.2A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 13.8A，10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1220 pF @ 15 V
-
3W（Ta），5.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
onsemi
5,966
现货
1 : ¥22.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.97206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12.5A（Ta）
10V
9 毫欧 @ 12.5A，10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
+30V，-20V
2659 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。