单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.6A（Ta）13.6A（Ta）14A（Ta）16A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.7 毫欧 @ 14A，10V9 毫欧 @ 16A，10V9.1 毫欧 @ 13A，10V10 毫欧 @ 11.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.35V @ 25µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V43.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1010 pF @ 15 V1020 pF @ 15 V1235 pF @ 15 V2096 pF @ 15 V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF8714TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
26,977
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.91418
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 14A，10V
2.35V @ 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS8880
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
onsemi
20,019
现货
7,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.49670
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.6A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 11.6A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7821TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Infineon Technologies
12,186
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.52117
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.6A（Ta）
4.5V，10V
9.1 毫欧 @ 13A，10V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1010 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
DMN3010LSS-13
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Diodes Incorporated
2,367
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.16690
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Ta）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 16A，10V
2V @ 250µA
43.7 nC @ 10 V
±20V
2096 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。