单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Qorvo
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ P7G3R™HiPerFET™, Ultra X
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V950 V1000 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.7A（Tc）14A（Tc）17.5A（Tc）36.5A41A（Tc）61A（Tc）65A（Tc）70A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 58.3A，10V45 毫欧 @ 22.5A，10V45毫欧 @ 40A，12V89 毫欧 @ 35A，10V90 毫欧 @ 20A，15V310 毫欧 @ 10.4A， 10V450 毫欧 @ 7.2A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 7.5mA3.5V @ 360µA3.5V @ 520µA4V @ 1.08mA4V @ 2.92mA6V @ 10mA6V @ 8mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V51 nC @ 15 V54 nC @ 15 V61 nC @ 10 V90 nC @ 10 V141 nC @ 10 V215 nC @ 10 V350 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+22V，-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1053 pF @ 400 V1500 pF @ 100 V1560 pF @ 800 V1765 pF @ 400 V3891 pF @ 400 V9160 pF @ 25 V9900 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
30W（Tc）31W（Tc）125W（Tc）201W（Tc）207W（Tc）227W429W（Tc）446W（Tc）1785W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO220-3-313PG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TO247-3-41PLUS264™TO-247-3
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-247-3TO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,934
现货
1 : ¥55.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
61A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 22.5A，10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,389
现货
1 : ¥86.20000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
41A（Tc）
15V
90 毫欧 @ 20A，15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V，-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
615
现货
1 : ¥169.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
75A（Tc）
10V
19 毫欧 @ 58.3A，10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3L
UJ3C120040K3S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Qorvo
1,486
现货
1 : ¥231.10000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
65A（Tc）
12V
45毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
429W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO-220-FP
IPA95R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO220
Infineon Technologies
488
现货
1 : ¥23.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
14A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 7.2A，10V
3.5V @ 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-264
IXFB70N100X
MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Littelfuse Inc.
203
现货
850
工厂
1 : ¥298.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
70A（Tc）
10V
89 毫欧 @ 35A，10V
6V @ 8mA
350 nC @ 10 V
±30V
9160 pF @ 25 V
-
1785W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PLUS264™
TO-264-3，TO-264AA
IPA95R310PFD7XKSA1
IPA95R310PFD7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 8.7A TO220-3
Infineon Technologies
438
现货
1 : ¥15.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
8.7A（Tc）
10V
310 毫欧 @ 10.4A， 10V
3.5V @ 520µA
61 nC @ 10 V
±20V
1765 pF @ 400 V
-
31W（Tc）
-55°C ~ 150°C
通孔
PG-TO220-3-313
TO-220-3 整包
314
现货
1 : ¥50.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
36.5A
10V
-
-
141 nC @ 10 V
±20V
-
-
227W
-55°C ~ 150°C
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IPW95R310PFD7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
Infineon Technologies
52
现货
1 : ¥22.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
17.5A（Tc）
10V
310 毫欧 @ 10.4A， 10V
3.5V @ 520µA
61 nC @ 10 V
±20V
1765 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。