单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
75 毫欧 @ 2.2A，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V720 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）480mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
354,022
现货
7,695,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
NTR4171PT1G
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
onsemi
1,897
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.19494
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
2.5V，10V
75 毫欧 @ 2.2A，10V
1.4V @ 250µA
15.6 nC @ 10 V
±12V
720 pF @ 15 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。