单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）4.5A（Ta），6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
57 毫欧 @ 4A，10V90 毫欧 @ 5.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）1.9W（Ta），10W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SC-75-6PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SC-75-6PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7439DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,082
现货
1 : ¥31.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥15.29607
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3A（Ta）
6V，10V
90 毫欧 @ 5.2A，10V
4V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SC-75-6L Single
SIB4316EDK-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
8,950
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15334
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.5A（Ta），6A（Tc）
2.5V，10V
57 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
1.9W（Ta），10W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-75-6
PowerPAK® SC-75-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。