单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
HEXFET®OptiMOS™π-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）2A（Ta）3.2A（Ta）4.2A（Ta）5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3.3V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 5.8A，10V45 毫欧 @ 4.2A，4.5V60 毫欧 @ 3.2A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 1mA2.3V @ 15µA2.35V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V5.4 nC @ 10 V5.6 nC @ 5 V12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 25 V150 pF @ 10 V430 pF @ 10 V657 pF @ 25 V740 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-SOT89SOT-23SOT-23F
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
29,074
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85127
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 5.8A，10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
130,774
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80297
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
84,735
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-89 Pkg
BSS606NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Infineon Technologies
21,661
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.56651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.2A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 3.2A，10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
76,337
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
3.3V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。