FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源电压（Vdss）
12V，20V20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）9.5A，8.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32nC @ 8V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
42pF @ 10V1454pF @ 6V
功率 - 最大值
150mW（Ta）2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6PowerDI5060-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
7,176
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.57142
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
20V
250mA（Ta）
1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
42pF @ 10V
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
ES6
DMC1016UPD-13
DMC1016UPD-13
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Diodes Incorporated
2,554
现货
12,500
工厂
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.40764
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
12V，20V
9.5A，8.7A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
32nC @ 8V
1454pF @ 6V
2.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。