单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)2A(Ta)2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧 @ 2A,10V155 毫欧 @ 2A,10V6 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 11µA2.8V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 25 V500 pF @ 15 V512 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)500mW(Ta)920mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
10,347
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68128
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 100mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
307,827
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03405
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMPH6250S-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
Diodes Incorporated
3,845
现货
50,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.77552
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.4A(Ta)
4.5V,10V
155 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
512 pF @ 30 V
-
920mW
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。