单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesQorvo
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 50A，12V6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 13µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V214 nC @ 15 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20.9 pF @ 25 V8360 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）789W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT23TO-247-4
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
170,487
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54713
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 190mA，10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247-4L
UF3SC065007K4S
MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Qorvo
1,442
现货
1 : ¥623.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
650 V
120A（Tc）
12V
9 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
214 nC @ 15 V
±20V
8360 pF @ 100 V
-
789W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。