单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageTransphorm
系列
HEXFET®, StrongIRFET™OptiMOS™StrongIRFET™2SuperGaN™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Ta），143A（Tc）46.5A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）120A（Ta）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 100A，10V1.9 毫欧 @ 60A，6V2 毫欧 @ 100A，10V2.3 毫欧 @ 70A，10V3.1 毫欧 @ 30A，10V41 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3V @ 500µA3.4V @ 81µA3.9V @ 150µA4V @ 95µA4.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 0 V51 nC @ 10 V102 nC @ 10 V103 nC @ 10 V118 nC @ 10 V225 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 400 V4800 pF @ 20 V5300 pF @ 15 V5500 pF @ 10 V7330 pF @ 25 V9430 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），150W（Tc）94W（Tc）150W（Tc）156W（Tc）180W（Tc）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAK+PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO252-3-313TO-247-3TO-262
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TP65H035G4WS
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
773
现货
1 : ¥147.28000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
46.5A（Tc）
10V
41 毫欧 @ 30A，10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 0 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO252-3
IPD031N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Infineon Technologies
4,158
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.14254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 15 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-262-3
IRFSL7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Infineon Technologies
2,740
现货
1 : ¥17.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.8 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
4,866
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.57528
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Ta）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 60A，6V
3V @ 500µA
103 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 10 V
-
180W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Infineon Technologies
3,874
现货
1 : ¥18.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.85061
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 95µA
118 nC @ 10 V
±20V
9430 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,706
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.99612
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），143A（Tc）
6V，10V
2.3 毫欧 @ 70A，10V
3.4V @ 81µA
102 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 20 V
-
3W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。