FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）410mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 欧姆 @ 500mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.45nC @ 10V0.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32pF @ 25V35pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW（Ta）580mW
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-363SOT-563
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 563
DMG1026UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Diodes Incorporated
39,475
现货
1,179,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86000
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
410mA
1.8 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 250µA
0.45nC @ 10V
32pF @ 25V
580mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
2N7002KDW_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
18,751
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34946
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
115mA（Ta）
3 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
35pF @ 25V
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。