单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Littelfuse Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DepletionPolarSuperMESH™
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
200 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）1.4A（Tc）1.8A（Tc）1.85A（Tc）3.1A（Tc）10A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 5A，10V3 欧姆 @ 900mA，10V5 欧姆 @ 1.9A，10V8.5 欧姆 @ 900mA，10V11 欧姆 @ 840mA，10V15 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 50µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V15.5 nC @ 10 V16 nC @ 10 V38 nC @ 10 V80 nC @ 10 V200 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 25 V331 pF @ 25 V499 pF @ 25 V500 pF @ 25 V980 pF @ 25 V5320 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
20W（Tc）50W（Tc）54W（Tc）70W（Tc）125W（Tc）695W（Tc）
供应商器件封装
TO-220TO-220-3TO-220ABTO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRFBG30PBF
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Vishay Siliconix
3,828
现货
1 : ¥20.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
3.1A（Tc）
10V
5 欧姆 @ 1.9A，10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Littelfuse Inc.
464
现货
1 : ¥166.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
10A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 5A，10V
-
200 nC @ 5 V
±20V
5320 pF @ 25 V
耗尽模式
695W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-220AB
IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,577
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.8A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 900mA，10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRFBG20PBF
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Vishay Siliconix
1,400
现货
1 : ¥14.45000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1.4A（Tc）
10V
11 欧姆 @ 840mA，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP2NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
STMicroelectronics
238
现货
1 : ¥23.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1.85A（Tc）
10V
8.5 欧姆 @ 900mA，10V
4.5V @ 50µA
16 nC @ 10 V
±30V
499 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
IXTP1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥22.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
1A（Tc）
10V
15 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 50µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
331 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。