单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
EPCInfineon Technologiesonsemi
系列
-eGaN®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
50 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）21A（Ta），190A（Tc）101A（Ta）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V3.9 毫欧 @ 50A，10V7.5 毫欧 @ 100A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.5V @ 14mA4V @ 250µA4.6V @ 257µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V23 nC @ 5 V98 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V3200 pF @ 50 V7350 pF @ 75 V7700 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）3.8W（Ta），319W（Tc）333W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
7-QFN（3x5）PG-HSOF-8SOT-23-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerSFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
200,920
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
onsemi
6,649
现货
1 : ¥43.92000
剪切带（CT）
800 : ¥26.49560
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
130A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
7350 pF @ 75 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
62,383
现货
1 : ¥54.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥30.13009
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
821
现货
1 : ¥55.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥29.53042
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Ta），190A（Tc）
8V，10V
3.9 毫欧 @ 50A，10V
4.6V @ 257µA
98 nC @ 10 V
±20V
7700 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。