单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-AlphaMOS
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta），30A（Tc）17A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 20A，10V10 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 15 V2265 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），25W（Tc）6.2W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6294
MOSFET N-CH 100V 17A/52A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
113,194
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.41847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Ta），52A（Tc）
6V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2265 pF @ 50 V
-
6.2W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8-DFN
AON7466
MOSFET N-CH 30V 15A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.09121
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
1150 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），25W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。