单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）39A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 30A，10V12 毫欧 @ 11A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25.1 nC @ 10 V64 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1415 pF @ 15 V4700 pF @ 12 V
功率耗散（最大值）
730mW（Ta）2.5W（Ta），96W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUDFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
U-DFN2020-6 Type E
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Diodes Incorporated
17,280
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93176
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 11A，10V
2V @ 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
730mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（E 类）
6-PowerUDFN
8-Power TDFN
BSC010NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Infineon Technologies
13,134
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.88101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
39A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。