单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA（Ta）1.3A（Ta）4.2A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V125 毫欧 @ 1.3A，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA3.8V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V416 pF @ 10 V808 pF @ 15 V5600 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）350mW（Ta）1.4W（Ta）2.5W（Ta），139W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7SOT-23-3SOT-323SOT-523
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
327,133
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42139
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
129,345
现货
2,990,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40484
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
18,670
现货
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.97480
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 95µA
76 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-523
DMG1012TQ-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Diodes Incorporated
964,752
现货
1,641,000
工厂
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28339
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
36,104
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77476
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
1.8V，4.5V
125 毫欧 @ 1.3A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。