单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Littelfuse Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
PowerTrench®TrenchP™U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）3.5A（Ta）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 22A，10V69 毫欧 @ 2A，10V261 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225 pF @ 75 V430 pF @ 15 V13400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）1.5W（Ta）298W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）SOT-23-3TO-263AA
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
23,656
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
TO-263AB
IXTA44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Littelfuse Inc.
2,873
现货
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
44A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 22A，10V
4V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
13400 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
FDN86246
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
onsemi
60
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.27780
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.6A（Ta）
6V，10V
261 毫欧 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。