单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
GeneSiC SemiconductorMicrochip Technology
系列
-G2R™G3R™
漏源电压（Vdss）
1200 V1700 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）7A（Tc）9A（Tc）21A（Tc）63A（Tc）157A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V15V，18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 100A， 18V50 毫欧 @ 40A，20V208 毫欧 @ 12A，15V585 毫欧 @ 4A，15V940 毫欧 @ 2.5A，20V1.2 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 2mA2.7V @ 50mA2.7V @ 5mA3.25V @ 100µA（典型值）3.5V @ 10mA（典型值）3.5V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 20 V18 nC @ 15 V21 nC @ 20 V51 nC @ 15 V288 nC @ 15 V340 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±15V+20V，-5V+22V，-10V+23V，-10V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
184 pF @ 1360 V238 pF @ 1000 V454 pF @ 1000 V1272 pF @ 1000 V7301 pF @ 1000 V9335 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
68W（Tc）74W（Tc）88W（Tc）175W（Tc）536W（Tc）567W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-3TO-247-4TO-263-7
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,677
现货
1 : ¥59.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
9A（Tc）
15V
585 毫欧 @ 4A，15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
606
现货
1 : ¥100.48000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
21A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 12A，15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R12MT12K
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
336
现货
1 : ¥509.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
157A（Tc）
15V，18V
13 毫欧 @ 100A， 18V
2.7V @ 50mA
288 nC @ 15 V
+22V，-10V
9335 pF @ 800 V
-
567W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
272
现货
1 : ¥2,427.31000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
63A（Tc）
20V
50 毫欧 @ 40A，20V
3.5V @ 10mA（典型值）
340 nC @ 20 V
+25V，-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
MSC750SMA170B4
TRANS SJT 1700V TO247-4
Microchip Technology
166
现货
1 : ¥46.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
7A（Tc）
20V
940 毫欧 @ 2.5A，20V
3.25V @ 100µA（典型值）
11 nC @ 20 V
+23V，-10V
184 pF @ 1360 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
GA20JT12-263
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
3,125
现货
1 : ¥153.44000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
4A（Tc）
20V
1.2 欧姆 @ 2A，20V
3.5V @ 2mA
21 nC @ 20 V
+20V，-5V
238 pF @ 1000 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。