单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
OptiMOS™PowerMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
200 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）52A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 52A，10V9 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 137µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29.3 nC @ 10 V43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
939 pF @ 25 V3680 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
140W（Tc）214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
H2PAKPG-TSON-8-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
10,839
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.77012
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STMicroelectronics
1,895
现货
1 : ¥43.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥22.50734
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2.5A（Tc）
10V
9 欧姆 @ 1.3A，10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
H2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。