单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-CoolSiC™HEXFET®HiPerFET™, PolarPowerMESH™QFET®SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V900 V1200 V1500 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）3A（Tc）5.2A（Tc）6A（Tc）8A（Tc）47A（Tc）91A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V，15V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 75A，10V26 毫欧 @ 23.5A，10V30 毫欧 @ 50A，18V1000毫欧 @ 1A，15V1.3 欧姆 @ 3.6A，10V2.4 欧姆 @ 500mA，10V7.3 欧姆 @ 1.5A，10V9 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 100µA4.9V @ 1mA5V @ 1mA5V @ 250µA5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 12 V29.3 nC @ 10 V38.6 nC @ 10 V72 nC @ 10 V92 nC @ 10 V110 nC @ 10 V150 nC @ 18 V210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V±20V+22V，-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
275 pF @ 1000 V939 pF @ 25 V1375 pF @ 25 V2115 pF @ 25 V2830 pF @ 25 V3540 pF @ 800 V3600 pF @ 25 V9620 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），160W（Tc）68W（Tc）140W（Tc）160W（Tc）250W（Tc）370W（Tc）547W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKH2PAKPG-TO263-7-13TO-247-4TO-247ACTO-263（D2PAK）TO-263AA（IXFA）TO-263HV
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,035
现货
1 : ¥39.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.34800
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.2A（Tc）
12V，15V
1000毫欧 @ 1A，15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V，-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247-3 AC EP
IRFP4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Infineon Technologies
1,004
现货
1 : ¥40.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
STMicroelectronics
1,895
现货
1 : ¥43.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥22.50734
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
2.5A（Tc）
10V
9 欧姆 @ 1.3A，10V
5V @ 250µA
29.3 nC @ 10 V
±30V
939 pF @ 25 V
-
140W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
H2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
TO-263AB
IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Littelfuse Inc.
3,660
现货
1 : ¥83.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
6A（Tc）
10V
2.4 欧姆 @ 500mA，10V
5V @ 1mA
92 nC @ 10 V
±30V
2830 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA（IXFA）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
STMicroelectronics
680
现货
1 : ¥39.32000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.34332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
8A（Tc）
10V
1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
4.5V @ 100µA
72 nC @ 10 V
±30V
2115 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FQB47P06TM-AM002
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥29.23000
剪切带（CT）
800 : ¥17.63323
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
47A（Tc）
10V
26 毫欧 @ 23.5A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
3600 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA3N150HV-TRL
MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
800 : ¥60.86534
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
3A（Tc）
10V
7.3 欧姆 @ 1.5A，10V
5V @ 250µA
38.6 nC @ 10 V
±30V
1375 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263HV
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
600 : ¥198.47503
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
91A（Tc）
18V
30 毫欧 @ 50A，18V
4.9V @ 1mA
150 nC @ 18 V
+22V，-10V
3540 pF @ 800 V
-
547W
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。