单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™ 5TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta），100A（Tc）16A（Ta），97A（Tc）18.8A（Ta），81A（Tc）23.2A（Ta），95A（Tc）27A（Ta），110A（Tc）31A（Ta），126A（Tc）32A（Tc）33A（Tc）40A（Tc）45，6A（Ta），186A（Tc）50A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 20A，10V3.6 毫欧 @ 20A，10V4.1 毫欧 @ 20A，10V4.8 毫欧 @ 20A，10V5 毫欧 @ 50A，10V5.4 毫欧 @ 50A，10V6 毫欧 @ 20A，10V6.1 毫欧 @ 15A，10V7.2 毫欧 @ 20A，10V9.2 毫欧 @ 25A，10V10.8 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V32 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 35µA2.3V @ 61µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 72µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V11.9 nC @ 10 V49 nC @ 10 V51 nC @ 10 V61 nC @ 10 V76 nC @ 10 V81 nC @ 10 V84 nC @ 10 V110 nC @ 10 V135 nC @ 10 V140 nC @ 10 V155 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
683 pF @ 50 V880 pF @ 25 V1630 pF @ 50 V2450 pF @ 50 V2840 pF @ 50 V2850 pF @ 50 V3400 pF @ 50 V4300 pF @ 50 V4870 pF @ 50 V4980 pF @ 50 V5100 pF @ 40 V5900 pF @ 30 V6195 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），96W（Tc）3W（Ta），136W（Tc）3.4W（Ta），68W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）5.4W（Ta），100W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）46W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TDSON-8-7PowerDI5060-8（UX 类）PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR104LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Vishay Siliconix
12,541
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.62979
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18.8A（Ta），81A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 50 V
-
5.4W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR870DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,026
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.93287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR804DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,899
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.14598
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
7.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,067
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
6V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 40 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerDI5060 UX
DMTH10H032LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Diodes Incorporated
2,457
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.02585
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33A（Tc）
4.5V，10V
32 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
11.9 nC @ 10 V
±20V
683 pF @ 50 V
-
3.4W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerDI5060-8（UX 类）
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NLWFAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
onsemi
1,794
现货
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.00684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.2 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
PowerPAK SO-8
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Vishay Siliconix
7,449
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.39637
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
45，6A（Ta），186A（Tc）
4.5V，10V
1.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Single
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
11,753
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.99547
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
31A（Ta），126A（Tc）
7.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
4980 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8DC
SIDR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Vishay Siliconix
9,167
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.19534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
23.2A（Ta），95A（Tc）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
6195 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
BSC050N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Infineon Technologies
2,918
现货
1 : ¥20.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.67468
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
16A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
5 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 72µA
61 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 50 V
-
3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SIR5102DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
5,640
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.87383
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Ta），110A（Tc）
7.5V，10V
4.1 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
ISC0806NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Infineon Technologies
4,860
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.40175
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
16A（Ta），97A（Tc）
4.5V，10V
5.4 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 61µA
49 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.95526
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
10.8 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 50 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。