单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20 V80 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
540mA(Ta)5.3A(Ta),17.2A(Tc)300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 80A,10V50 毫欧 @ 10A,10V550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA3.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19.5 nC @ 10 V188 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150 pF @ 16 V1110 pF @ 100 V12800 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)429W(Tj)-
工作温度
-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-HPSOFPowerPAK® SO-8SOT-523
封装/外壳
8-PowerSFNPowerPAK® SO-8SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerDFN
FDBL0150N80
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
onsemi
3,386
现货
1 : ¥40.39000
剪切带(CT)
2,000 : ¥19.64351
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
10V
1.4 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
188 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
429W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
SOT-523
DMN2004TK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Diodes Incorporated
476,173
现货
357,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71833
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
540mA(Ta)
1.8V,4.5V
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
PowerPAK SO-8
SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,000
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.92735
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5.3A(Ta),17.2A(Tc)
7.5V,10V
50 毫欧 @ 10A,10V
3.1V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 125°C
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。