单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30.5A（Tc）46A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 15A，10V3.9 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2730 pF @ 15 V4560 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），6.5W（Tc）3.5W（Ta），7.8W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4136DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Vishay Siliconix
3,800
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.31966
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
46A（Tc）
4.5V，10V
2 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4560 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4166DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Vishay Siliconix
7,780
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.75374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30.5A（Tc）
4.5V，10V
3.9 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
2730 pF @ 15 V
-
3W（Ta），6.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。