单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta），13A（Tc）12A（Ta），50A（Tc）13A（Ta），84A（Tc）31A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 50A，10V5，9毫欧 @ 23A，10V10 毫欧 @ 50A，10V107 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 23µA3.3V @ 95µA4V @ 120µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V45 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2040 pF @ 40 V2045 pF @ 75 V3500 pF @ 30 V6500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），62W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2，7W（Ta），100W（Tc）3W（Ta），167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3）PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-5Power33
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
6,145
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.62177
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
Power33
FDMC86259P
MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
onsemi
4,524
现货
1 : ¥22.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.14862
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
3.2A（Ta），13A（Tc）
6V，10V
107 毫欧 @ 3A，10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±25V
2045 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），62W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC016N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Infineon Technologies
14,088
现货
1 : ¥24.46000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.43174
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
31A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 95µA
95 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 30 V
-
3W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-WDFN
NTTFS5D9N08HTWG
MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
onsemi
3,280
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.12840
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
13A（Ta），84A（Tc）
6V，10V
5，9毫欧 @ 23A，10V
4V @ 120µA
31 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 40 V
-
2，7W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。